Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
国家标准 推荐性 即将实施
国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。
主要起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司。
主要起草人曾雄辉 、董晓鸣 、苏旭军 、牛牧童 、王建峰 、徐科 、王晓丹 、徐军 、郭延军 、陈家凡 、王新强 、颜建锋 、敖松泉 、唐明华 、闫宝华 、李艳明 。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
江苏第三代半导体研究院有限公司
北京大学
北京大学东莞光电研究院
TCL环鑫半导体(天津)有限公司
山东浪潮华光光电子股份有限公司
苏州纳维科技有限公司
苏州科技大学
国家纳米科学中心
东莞市中镓半导体科技有限公司
苏州大学
北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司
曾雄辉
董晓鸣
王建峰
徐科
郭延军
陈家凡
敖松泉
唐明华
苏旭军
牛牧童
王晓丹
徐军
王新强
颜建锋
闫宝华
李艳明
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