Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
国家标准 推荐性 现行
国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
主要起草单位河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司。
主要起草人芦伟立 、房玉龙 、李佳 、殷源 、丁雄杰 、张冉冉 、王健 、李丽霞 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、杨青 、刘立娜 、杨世兴 、马康夫 、钮应喜 、金向军 、尹志鹏 、刘薇 、陆敏 、周少丰 、林志阳 。
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-3:2020。
采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法。
河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）
广东天域半导体股份有限公司
浙江大学
山西烁科晶体有限公司
中电化合物半导体有限公司
常州臻晶半导体有限公司
厦门特仪科技有限公司
之江实验室
中国电子科技集团公司第四十六研究所
山东天岳先进科技股份有限公司
中国科学院半导体研究所
河北普兴电子科技股份有限公司
深圳市星汉激光科技股份有限公司
芦伟立
房玉龙
丁雄杰
张冉冉
张建锋
李振廷
刘立娜
杨世兴
金向军
尹志鹏
周少丰
林志阳
李佳
殷源
王健
李丽霞
徐晨
杨青
马康夫
钮应喜
刘薇
陆敏
GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
20204111-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片
20201543-T-339 半导体器件 分立器件 第15部分：绝缘功率半导体器件
YS/T 24-2016 外延钉缺陷的检验方法
YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法
20230657-T-339 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第2部分：基于热功率的热电能量收集器
20230652-T-339 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第5部分：测量柔性热电器件发电功率的测试方法
20214739-T-339 电子元器件 半导体器件的长期贮存 第3部分：数据
CMA检测资质
微析院所经过严格的审核程序，获得了CMA资质认证成为正规的检测机构，不出具CMA检测报告的机构请斟酌。
数据严谨精准
提供精准的数据支持，建立了完善的数据管理系统，对每个检测项目数据进行详细记录与归档，以便随时查阅追溯。
独立公正立场
严格按照法律法规和行业标准行事，不受任何外部干扰，真实反映实际情况，出具的检测报告具有权威性和公信力。
服务领域广泛
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实验室环境-1
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机构质检技术员-1
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机构质检技术员-5
机构质检技术员-6
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